2024年銅濺射靶材專業調查報告，到2024年的預測

未來幾年，全球銅濺射目標將逐步增長。根據 WK Research 的《2022 年全球銅濺射靶材專業調查報告》**，到 2027 年，由於銅濺射靶材在半導體晶元中的應用越來越多，全球銅濺射靶材市場價值可能會增長。銅濺射靶材用於製造阻隔層和封裝金屬佈線層。根據WK Research的回歸分析模型，復合年增長率（CAGR）預計為651%。

分析師觀點：

由於半導體、液晶顯示器、太陽能電池等一系列行業對銅濺射靶材的需求不斷增長，預計亞太地區在預測期內將經歷相當大的擴張。因此，亞洲市場相對有利，市場參與者可以在亞洲地區投資並獲得更大的利潤，“WK Research高階分析師Kevin Ross表示。

產品描述：濺射靶材是經過物理氣相沉積（PVD）的材料，這是一種涉及原子高速從固體中噴射的過程。原子沉積在工件上，然後噴射出來，從而形成具有有益特性的薄膜塗層。當高能離子與目標物質的原子碰撞時，就會發生動量轉移。有時會發生多次碰撞。離子偶爾會因長時間飛行而失去能量。如果到達目標的離子的能量高於連線目標材料原子的化學鍵的能量，則碰撞的原子將與目標材料分離，這一過程稱為濺射。在銅濺射（一種沉積技術）過程中，靶材表面上的薄塗層厚度從幾奈米到幾微公尺不等。

市場洞察：

驅動因素：越來越多地使用銅作為半導體晶元的濺射靶材將推動行業擴張。

在此期間，半導體器件對銅濺射靶材的使用預計將增加，從而推動全球銅濺射靶材市場的擴張。濺射靶材用於建立阻擋層和封裝金屬佈線層。晶圓的金屬柵極、阻擋層和導電層主要在整個晶圓製造過程中使用靶材生產。利用濺射靶材，晶元封裝法產生佈線層、凸塊後面的金屬層和其他金屬零件。濺射靶材直接影響導電層和阻擋層的均勻性和效能，以及晶元的傳輸速度和穩定性，是半導體生產中使用的主要原材料之一。

制約因素：為複雜結構統一設定目標的挑戰阻礙了市場的增長。

全球銅濺射業務的兩個主要障礙是無法可靠地放置具有複雜幾何形狀的靶材，以及濺射靶材技術中特定材料的沉積速度緩慢。銅濺射目標市場中現有和即將到來的生產商產生的技術進步和創新也有望加速這些問題的解決。

競爭格局：2022年3月，為了擴大業務，製造半導體濺射靶材，並在美國創造新的商機，JX日本礦業金屬株式會社決定在美國亞利桑那州購買約260,000平方公尺的土地。這份WK Research市場報告旨在幫助客戶提高其市場地位，同時，本報告提供了幾家領先的銅濺射目標公司的詳細分析，包括：KFMI、霍尼韋爾電子材料、JX Japan、普萊克斯、KJLC、東淚、中國金屬新材料、KJLC、住友、化學康邦、KJLC、攀時、CXMET。

銅濺射目標市場細分：

銅濺射靶材市場按型別細分：低純銅濺射、高純銅濺射和超高銅濺射。超高銅濺射佔據最大的市場份額。為了製作超高純銅濺射靶材，純度為99999% 銅或更高。由於它是最高等級的銅濺射靶材，因此其效能和質量要求相當嚴格。超高純銅濺射靶材的大量應用包括積體電路、光伏、電晶體和其他半導體器件。

根據應用，銅濺射靶材市場分為：太陽能電池、液晶顯示器、半導體、太陽能電池、液晶顯示器等。半導體的市場份額最大。由於其優異的導電性和純形式的可用性，銅通常用作半導體器件中的濺射靶材。電晶體尺寸的減小和對金屬-絕緣體-金屬電容器的需求不斷增加，這些電容器是可攜式電子裝置供電所必需的，導致其使用量增加。當用於半導體器件時，銅與氧和其他環境元素的反應性可能會縮短器件的使用壽命。因此，人們正在嘗試開發創新的防禦措施，以防止銅在空氣中降解。

銅濺射目標市場：區域分析。

從地理上看，全球銅濺射靶材市場分為：北美、亞太地區、歐洲、南美以及中東和非洲。全球銅濺射目標市場預計將以北美為最大市場，其次是亞太地區。此外，這主要是由於半導體的日益普及以及提供銅濺射靶材的成熟和新興參與者的存在。此外，預計亞太市場在此期間將以最快的速度增長。基本上，由於半導體和電子行業對半導體和電子裝置的需求不斷增長，預計全球銅濺射靶材市場將得到提振。此外，銅濺射目標市場的早期機會主要來自該地區的重要經濟體，如中國、日本和印度。據估計，中國是促進該地區銅推桿目標市場增長的主要國家。

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